| Разработчики: | Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского (ННГУ) |
| Дата премьеры системы: | июль 2022 г. |
| Отрасли: | Образование и наука |
2022: Анонс нанопленки, которые заряжают гаджеты от температуры тела
Физики нижегородского госуниверситета имени Лобачевского (ННГУ) разработали наноплёнки на основе силицида марганца, которые преобразуют тепло в электричество. Они позволяют заряжать гаджеты от температуры тела, сообщила пресс-служба вуза в июле 2022 года.
Термоэлектрические преобразователи широко используются для получения электричества из тепловой энергии нагретых частей машин. Особая кристаллическая структура соединения марганца и кремния делает их одними из самых перспективных материалов для генерации электроэнергии. Толщина наноплёнок, полученных физиками ННГУ, не превышает 100 нанометров, а вес – миллионных долей грамма.
По словам учёных, такие плёнки могут быть встроены в обшивку космических кораблей, снижая вес и энергозатраты работающего в космосе оборудования. Также тонкоплёночные преобразователи могут использоваться и в быту: для зарядки гаджетов от тепла тела или в термоэлектрической одежде с функцией кондиционирования.
Как пояснил ведущий научный сотрудник лаборатории спиновой и оптической электроники Научно-исследовательского физико-технического института (НИФТИ) ННГУ Михаил Дорохин, плёнка со сложной кристаллической структурой образуется при соединении марганца и кремния в вакууме. Импульсно-лазерным осаждением сначала распыляется кремниевая, а затем марганцевая мишень. Проблему нестабильности термоэлектрических свойств материала решили с помощью электроимпульсного плазменного спекания порошковой смеси двух металлов. Это увеличило однородность структур и мишени, и пленки, которая получается при её распылении. В результате были получены более стабильные образцы термоэлементов разной толщин, отметил он.Игорь Лейпи, ГК Softline: Объем поставок российских операционных систем в ближайшие годы увеличится как минимум вдвое 
Сообщается, что изобретение может работать при температуре от +30°С до +800°С, при сильном радиационном фоне и с меньшими энергопотерями, чем полупроводниковые аналоги. [1]
Примечания
