Toshiba SSM-серия МОП-транзисторы

2018: Toshiba SSM3K357R и SSM6N357R

25 июня 2018 года компания Toshiba Electronics Europe объявила о выпуске серии МОП-транзисторов со схемой подавления эффекта Миллера при помощи встроенного диода между выводами стока и затвора. Одинарное устройство SSM3K357R и сдвоенное SSM6N357R предназначены для управления индуктивными нагрузками, такими как механические реле и соленоиды, требуя при этом минимального количества внешних компонентов.

Одинарный транзистор Toshiba SSM3K357R

Как отметили в компании Toshiba, устройства серии 357 защищают драйверы от возможного повреждения в результате выбросов напряжения, вызванных обратной ЭДС от индуктивной нагрузки. Они содержат встроенный согласующий резистор, последовательный резистор и стабилитрон, что помогает снизить количество внешних деталей и сэкономить место на печатной плате.

Устройства рассчитаны на максимальное напряжение между стоком и истоком (VDSS) 60 В и максимальный ток стока (ID) 0,65 А. Низкое сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии (RDS(ON)), равное 800 мОм при VGS = 5,0 В, обеспечивает эффективную работу с минимальным тепловыделением, уточнили в Toshiba.

Одинарный транзистор SSM3K357R выпускается в корпусе класса SOT-23F размерами 2,9 мм x 2,4 мм x 0,8 мм и предназначен для управления реле и соленоидами благодаря низкому рабочему напряжению 3,0 В. Сертификация этого устройства в соответствии с требованиями стандарта AEC-Q101 позволяет применять его в автомобильных системах, а также в различных промышленных решениях.

Сдвоенный транзистор SSM6N357R выпускается в корпусе класса TSOP6F размерами 2,9 мм x 2,8 мм x 0,8 мм, что позволяет использовать на плате два устройства, сокращая площадь монтажа на 42 % по сравнению с двумя отдельными устройствами.

SSM3K357R и SSM6N357R уже поставляются серийными партиями.