Разработчики: | Toshiba Electronics Europe (TEE) |
Дата премьеры системы: | 2017/11/21 |
Дата последнего релиза: | 2018/05/11 |
Технологии: | Процессоры |
Содержание |
Toshiba TPH и TPN-серии — линейки МОП-транзисторов.
2018
TPHR7904PB и TPH1R104PB
11 мая 2018 года компания Toshiba Electronics Europe объявила о выпуске двух МОП-транзисторов в миниатюрном корпусе с низким сопротивлением SOP Advance (WF) размерами 5 мм x 6 мм в качестве дополнения серии мощных МОП-транзисторов на 40 В с каналом n-типа для автомобильных устройств. Транзисторы TPHR7904PB и TPH1R104PB сертифицированы в соответствии с требованиями AEC-Q101 и предназначены для различных автомобильных систем, включая электроусилители рулевого управления (ЭУР), переключатели нагрузки, электрические насосы, вентиляторы и т. д.
МОП-транзисторы выпускаются с применением современного технологического процесса формирования канавки девятого поколения U-MOS IX-H в миниатюрном корпусе с низким сопротивлением и обладают низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(ON)) до 0,79 мОм (макс. значение при VGS=10 В), тем самым снижая потери проводимости. Устройства имеют номинальное напряжение между стоком и истоком (VDSS) 40 В и могут управлять током стока (ID) до 150 А постоянного тока. Применение технологии U-MOS IX-H также снижает шум при переключении, помогая снизить уровень электромагнитных помех.
В корпусе SOP Advance (WF) используется конструкция выводов со смачиваемой боковой поверхностью, позволяющая автоматически осуществлять визуальный контроль пайки на печатных платах, что является ключевым требованием обеспечения контроля качества в автомобильной промышленности, отметили в Toshiba Electronics Europe.TAdviser выпустил новую Карту «Цифровизация ритейла»: 280 разработчиков и поставщиков услуг
TPH3R70APL и TPN1200APL
22 февраля 2018 года компания Toshiba Electronics Europe заявила о расширении ассортимента МОП-транзисторов на основе двух устройств на 100 В, дополняющих серию низковольтных мощных МОП-транзисторов с каналом n-типа на основе технологии U-MOS IX-H. Устройства подходят для работы в источниках питания промышленного оборудования, а также в системах управления электродвигателями.
Устройства TPH3R70APL и TPN1200APL изготавливаются с использованием самого современного процесса формирования канавки низковольтных транзисторов U-MOS IX-H, позволяющего оптимизировать структуру элементов, и обладают самым низким в отрасли и классе сопротивлением в открытом состоянии: 3,7 и 11,5 мОм соответственно. Устройства обладают низким выходным зарядом (QOSS: 74 и 24 нКл), низким зарядом переключения затвора (QSW: 21 и 7,5 нКл) и поддерживают управление логическими уровнями 4,5 В.
По сравнению с существующими устройствами на основе технологического процесса U-MOS VIII-H вустройствах удалось снизить ключевые показатели, определяющие качество работы МОП-транзисторов в импульсных схемах, такие как RDS(ON), Qoss и RDS(ON), QSW.
TPH3R70APL выпускается в корпусе SOP Advance размером 5 мм x 6 мм и имеет допустимый ток стока (ID) 90 А.
TPN1200APL выпускается в корпусе TSON Advance размером 3 мм x 3 мм и имеет допустимый ток стока (ID) 40 А.
2017: TPH1R204PB
21 ноября 2017 года компания Toshiba Electronics Europe заявила о расширении ассортимента МОП-транзисторов на основе собственного технологического процесса производства полупроводниковых приборов с вертикальным каналом U-MOS-IX-H. Компания представила компактное устройство на 40 В со встроенным диодом с мягким восстановлением (SRD).
Встроенный диод с мягким восстановлением в составе МОП-транзистора TPH1R204PB позволяет минимизировать импульсные напряжения, возникающие между стоком и истоком при переключении. Такой МОП-транзистор подходит для работы в синхронных выпрямителях на стороне вторичного напряжения импульсных блоков питания с жесткими требованиями к уровню электромагнитных помех.
Целевые области применения устройства:
- высокоэффективные преобразователи переменного тока в постоянный
- преобразователи постоянного тока,
- приводы электродвигателей, например, в аккумуляторных инструментах.
TPH1R204PB представляет собой устройство с каналом n-типа и максимальным сопротивлением в открытом состоянии (RDS(ON)) 1,2 мОм (при VGS = 10 В). Номинальный выходной заряд (QOSS) составляет 56 нКл. Устройство выпускается в корпусе SOP Advance размерами 5 мм x 6 мм x 0,95 мм.
Подрядчики-лидеры по количеству проектов
Huawei Россия (Хуавэй) (1)
Intel (1)
Lenovo (1)
TSMC (1)
Базальт СПО (BaseALT) ранее ALT Linux (1)
Другие (4)
Распределение вендоров по количеству проектов внедрений (систем, проектов) с учётом партнёров
МЦСТ (8, 22)
Микрон (Mikron) (2, 9)
Oracle (1, 7)
Nvidia (Нвидиа) (18, 6)
Intel (37, 5)
Другие (195, 15)
Байкал Электроникс (Baikal Electronics) (1, 2)
Intel (1, 1)
Huawei (1, 1)
Nvidia (Нвидиа) (1, 1)
Микрон (Mikron) (1, 1)
Другие (0, 0)
Распределение систем по количеству проектов, не включая партнерские решения
Микрон Интегральные микросхемы MIK - 9
Эльбрус - 8
Oracle SPARC - 7
Intel Xeon Scalable - 5
Эльбрус 4.4 - 4
Другие 23
Baikal-M - 2
Intel Xeon Scalable - 1
Микрон Интегральные микросхемы MIK - 1
Huawei Kunpeng (процессоры) - 1
Nvidia Tesla - 1
Другие 0