Биография
В 1981 году окончил Новосибирский государственный университет.
В 1998 году защитил докторскую диссертацию «Атомные ступени на поверхности кремния в процессах сублимации, эпитаксии и фазовых переходов».
В 2008 году избран членом-корреспондентом РАН по Отделению нанотехнологий и информационных технологий РАН (специальность «нанодиагностика»).
В 1981 году начал работать в должности стажера–исследователя в ИФП СО РАН.
В 1998 года получил должность заведующего лабораторией нанодиагностики и нанолитографии.
В 2007 году назначен заместителем директора института по научным вопросам.
На 5 октября 2016 года Александр Васильевич Латышев работает директором института физики полупроводников им. А.В. Ржанова.
Член-корреспондент РАН, доктор физико-математических наук.
| Материал подготовлен на основе информации из открытых источников |
