Intel Optane

Intel Optane - линейка SSD-носителей.

2019

Синергия с Raidix ERA

6 сентября 2019 года компания «Рэйдикс» сообщила о том, что совместное использование всего 4 накопителей Intel Optane вместе с RAIDIX ERA, программным RAID, позволяет достичь 1 миллиона запросов ввода/вывода при смешанной нагрузке на чтение и запись. Сравнительные с решениями на NVMe SSD тесты показывают высокие значения производительности даже при использовании меньшего количества накопителей, заявили в компании. Подробнее здесь.

*Память Intel Optane М10/М15

28 мая 2019 года Intel представил память Intel Optane - технологию, которая повышает отзывчивость компьютеров, построенных на базе платформ Intel Core 7-го и более свежих поколений. Память Intel Optane представлена моделями различной емкости в форм-факторе M.2 и призвана ускорить работу мобильных и настольных систем. Вместе память Intel Optane и процессор Intel Core заметно улучшают пользовательский опыт за счет ускорения времени загрузки системы и запуска приложений, а также игровых возможностей и комфортной работы в Интернете.

Память Intel Optane можно добавить в дополнение к уже имеющемуся дисковому накопителю (HDD) или более медленному SATA устройству, чтобы обеспечить ускорение загрузки системы или работы накопителя, сравнимое с установкой SSD накопителя. Витрина данных НОТА ВИЗОР для налогового мониторинга 2 т

Благодаря работающему в фоновом режиме интеллектуальному драйверу Intel Rapid Storage Technology, память Intel Optane умеет распознавать и запоминать контент, необходимый для наиболее важных или частых задач, и обеспечивает более быстрый доступ к часто используемым файлам, приложениям или играм.

Подробности о модуле памяти Intel Optane H10

Intel 10 апреля 2019 года раскрыл подробности о модуле памяти Intel Optane H10 с твердотельным накопителем – устройстве, совмещающем в едином компактном форм-факторе M.2 высокую скорость отклика и большую емкость хранения за счет применения технологии Intel Quad Level Cell (QLC) 3D NAND.

Память Intel Optane H10 с твердотельным накопителем представляют собой сочетание технологий Intel Optane и Intel QLC 3D NAND, которое отражает наш подход к организации памяти и устройств хранения, раскрывающий всю мощь платформ на базе решений Intel и не имеющий себе равных. Роб Крук (Rob Crooke), старший вице-президент Intel и генеральный управляющий подразделения Non-Volatile Memory Solutions Group

По информации компании, сочетание технологий Intel Optane и Intel QLC 3D NAND в едином модуле M.2 позволяет использовать память Intel Optane в тонких и легких ноутбуках, а также в ряде компактных настольных форм-факторов, например, в мини-ПК и в моноблочных компьютерах. Продукт также обеспечивает более высокий уровень производительности, а кроме того, избавляет пользователей от необходимости приобретения дополнительного накопителя.

Intel полностью использует все преимущества своей платформы (включая программное обеспечение, чипсет, процессор, память и хранилище) и предлагать их заказчикам. Ускорение работы памяти и большая емкость твердотельного накопителя обеспечивают преимущества для рядовых потребителей, независимо от того, используют ли они свои системы для творчества, игр или для работы. В сравнении с отдельным SSD накопителем на базе TLC 3D NAND, память Intel Optane H10, объединенная с твердотельным накопителем, обеспечивает ускоренный доступ к наиболее используемым приложениям и файлам, а также улучшает отзывчивость приложений при иных одновременно работающих в фоновом режиме приложениях.

Мобильные платформы Intel Core U-series 8-го поколения с модулями памяти Intel Optane H10 и твердотельного накопителя от крупнейших OEM производителей поступят в продажу уже весной 2019 года. Платформы обеспечат пользователям следующие преимущества:

• Ускорение времени загрузки документов в два раза, даже в условиях многозадачности.
• Запуск игр на 60% быстрее в условиях многозадачности.
• Ускорение открытия медиафайлов на 90% в условиях многозадачности.

Твердотельные накопители с памятью Intel Optane отличаются более высокой скоростью работы по сравнению с твердотельными накопителями на базе NAND памяти в большинстве распространенных клиентских сценариев. Платформы Intel с памятью Intel Optane адаптируются к повседневному использованию ПК и оптимизируют производительность системы для выполнения наиболее распространенных задач и часто запускаемых приложений. Продукт представлен моделями с общей доступной емкостью до 1ТБ, таким образом, память Intel Optane H10 с твердотельным накопителем обеспечивает достаточную емкость для хранения приложений и файлов не только на апрель 2019 года, но и в будущем.

Модули памяти Intel Optane H10 с твердотельными накопителями будут представлены в следующих конфигурациях: 16ГБ (память Intel Optane) + 256ГБ (накопитель); 32ГБ (память Intel Optane) + 512 ГБ (накопитель) и 32ГБ (память Intel Optane) + 1ТБ (накопитель).

SSD Intel Optane Memory H10 with Solid State Storage

11 января 2019 года корпорация Intel представила модуль памяти Intel Optane Memory H10 with Solid State Storage – твердотельный накопитель, сочетающий скорость отклика памяти Intel Optane и большую емкость Intel QLC 3D NAND в едином компактном форм-факторе M.2. Используя эти технологии в решении, объединяющем одновременно память и накопитель, Intel Optane Memory H10 with Solid State Storage позволит, по мнению разработчика, творить, играть и успевать больше, тратя меньше времени на ожидание.

Совмещая энергонезависимую память Intel Optane с накопителем на базе технологии Intel QLC 3D NAND, этот продукт позволяет добавлять память Intel Optane в ультрабуки и в другие компактные устройства с ограниченным физическим пространством внутри корпуса – например, в универсальные устройства-трансформеры (All-in-One) и в мини-ПК, утверждает разработчик. Модули Intel Optane Memory H10 with Solid State Storage будут доступны со второго квартала 2019 года в OEM-системах от Dell, Lenovo, HP, Acer, ASUS и других производителей.

По информации, предоставленной разработчиком, модули Intel Optane Memory H10 with Solid State Storage будут поставляться в следующих конфигурациях: 16ГБ (Optane) + 256ГБ (QLC); 32ГБ (Optane) +512ГБ (QLC); и 32ГБ (Optane) + 1ТБ (QLC). Более подробная информация будет доступна после запуска во втором квартале 2019 года.

2016: Анонс начала производства SSD Optane

14 июня 2016 года стало известно о планах Intel начать производство SSD под товарным знаком Optane в IV квартале 2016 года. Устройства ориентированы на потребительский и корпоративный рынок. В составе линейки продукты будут представлены кодовыми именами Mansion Beach и Stony Beach.

Накопители будут работать по протоколу NVMe и предназначены для подключения к шине PCI Express 3 с четырьмя линиями ^[1].

В Intel утверждают, что новая память в 1 тыс. раз быстрее и выносливее современной NAND-памяти.

Ориентировочно в первом квартале 2017 года Intel планирует выпустить накопители Brighton Beach с поддержкой PCI Express 3 с двумя линиями. И не ранее середины 2017 года — обновить Mansion Beach и представить поколение накопителей Optane для корпоративного рынка под кодовым именем Carson Beach.

Устройства Carson Beach планируется выполнять в форм-факторе BGA, в дополнение к M.2.

В каком форм-факторе будут потребительские устройства, в презентации не уточняется.

Утечку данных о планах Биг Блю реализовало тайваньское издание benchlife.info, в распоряжении которого попала внутренняя презентация компании.

Накопители Optane созданы на платформе технологии памяти 3D XPoint, анонсированной Intel совместно с Micron Technology в июле 2015 года. Партнеры утверждают, что 3D XPoint обладает в 1 тыс. раз более высокой скоростью работы и во столько же раз более высокой выносливостью по сравнению с флэш-памятью типа NAND, повсеместно используемой в современной электронике, и в 10 раз большей плотностью по сравнению с современной компьютерной памятью.

Презентация памяти 3D XPoint, (2015)

Вместо использования транзисторов, в памяти 3D XPoint применяются ячейки из материала, меняющего свои физические свойства при прохождении электрического тока. Такая память называется фазовой памятью. Она энергонезависима, как и флэш-память, но при этом быстрее NAND-памяти и дешевле в производстве, чем DRAM-память, которая используется в ОЗУ.

Примечания